HledejSoučástky.cz


Nalezených součástek: 201       Optimalizace nákupu
Součástka:
Řadit:
Obrázek Název Cena
s DPH
Sklad Obchod Sklad.č. Detail dostupnost Slevy
Optimalizace:
Popis
MOSFET International Rectifier IRFHS8342TR2PBF PQFN 2X2 IR 7,00 Kč Skladem Puhy c_161005
Centrální sklad 679
1 ks 7,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFHS8342TR2PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): PQFN 2x2Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 16 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8.8 A · 19 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 25 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 8.5 AC(ISS): 600 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 8.7 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.1 W
MOSFET International Rectifier IRFHM9331TR2PBF PQFN 3X3 IR 8,00 Kč Skladem Puhy c_161002
Centrální sklad 2444
1 ks 8,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFHM9331TR2PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): PQFN 3x3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 10 m?Referenční napětí R(DS)(on): 20 VI(d): 11 A · 24 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 25 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 11 AC(ISS): 1543 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 2.4 VQ(G): 48 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.8 W
MOSFET (HEXFET) Vishay IRFD110PBF 0,54 Ω, 1 A HEXDIP 8,00 Kč Skladem Puhy c_162582
Centrální sklad 85
1 ks 8,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFD110PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): DIP-4Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 540 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 1 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 600 mAC(ISS): 180 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 8.3 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 1.3 W
MOSFET International Rectifier IRF8707PBF SO8 IR 10,00 Kč Skladem Puhy c_160905
Centrální sklad 23
1 ks 10,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF8707PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 11.9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 11 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 25 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 11 AC(ISS): 760 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 9.3 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
MOSFET International Rectifier IRF8721PBF SO8 IR 10,00 Kč Skladem Puhy c_160907
Centrální sklad 67
1 ks 10,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF8721PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 8.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 14 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 25 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 14 AC(ISS): 1040 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 12 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
IRF7105 SO8 10,00 Kč Skladem GME 915-049
Tranzistorová pole unipolární, Provedení: SMD, Počet...
IRF7343 SO8 13,00 Kč Skladem GME 915-051
Tranzistorová pole unipolární, Provedení: SMD, Počet...
IRF7342 SO8 15,00 Kč Skladem GME 915-170
Tranzistorová pole unipolární, Provedení: SMD, Počet...
MOSFET International Rectifier IRF7862PBF SO8 IR 15,00 Kč Skladem Puhy c_160897
Centrální sklad 24
1 ks 15,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF7862PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 4.5 VI(d): 21 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETTyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 4090 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VQ(G): 45 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7105 HEXFET SO-8 0,109 Ω, 3,5 A/-2,3 A SO 8 16,00 Kč Skladem Puhy c_162433
Centrální sklad 89
1 ks 16,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 25 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7105PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 100 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.5 A · 2.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanál · P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1 AC(ISS): 330 pFU(DSS): 25 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2 W
Mosfet N-FET tranzistor IRF540N 16,00 Kč Skladem GES 04913172
MOS-N-FET 100V/ 33A/ 130W/ rds=0,044Ohm. TO220 G D S D 17p
Bezkontaktní RFID karta BEC-02 17,00 Kč Skladem GME 754-330
Bezkontaktní RFID kartaSebury, čip pro RFID čtečky ,...
Mosfet P-FET tranzistor IRF7416 17,00 Kč Skladem GES 04913173
MOS-P-FET 30V/ 7,1A / rds=0,020Ohm. SO8
MOSFET International Rectifier IRF9358PBF SO8 IR 17,00 Kč Skladem Puhy c_160918
Centrální sklad 4
1 ks 17,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9358PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 16.3 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 25 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 9.2 AC(ISS): 1740 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 2.4 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF830 1,5 Ω, 4,5 A TO 220 17,00 Kč Skladem Puhy c_162522
Centrální sklad 122
1 ks 17,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF830PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 1.5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.7 AC(ISS): 610 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
Výkonový spínací tranzistor STMicroelectronics IRF630 0,4 Ω, 200 V, 9 A TO 220 AB 18,00 Kč Skladem Puhy c_155772
Centrální sklad 153
1 ks 18,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): MESH OVERLAY™ IIKanálů: 1Typ (výrobce): IRF630Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -65 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): STMSplňuje RoHS: AnoVýrobce: STMicroelectronicsR(DS)(on): 400 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.5 AC(ISS): 700 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 45 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 75 W
Výkonový tranzistor MOSFET, International Rectifier IRF5305, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 55 V, -31 A 18,00 Kč Skladem Puhy c_162408
Centrální sklad 775
1 ks 18,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF5305Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 60 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 31 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 63 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF9630, kanál P, kanál 220, 0,8 Ω, 200 V, -6,5 A 18,00 Kč Skladem Puhy c_162541
Centrální sklad 80
1 ks 18,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF9630PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 800 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 6.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.9 AC(ISS): 700 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 29 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
Mosfet P-FET tranzistor IRF9530N 18,00 Kč Skladem GES 04913177
MOS-P-FET 100V/ 14A/ 75W/ rds=0,20Ohm TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET tranzistor IRF640N 18,90 Kč Skladem GES 04913146
MOS-N-FET 200V/ 18A/ 125W/ rds=0,15Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET tranzistor IRF730 18,90 Kč Skladem GES 04913196
MOS-N-FET 400V/ 5,50A/ 100W/ rds=1,00Ohm., TO220 G D S D 17p
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7103 HEXFET SO-8 0,13 Ω, 3 A SO 8 19,00 Kč Skladem Puhy c_162431
Centrální sklad 19
1 ks 19,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 50 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7103PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 130 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3 AC(ISS): 290 pFU(DSS): 50 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 30 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
Mosfet P-FET tranzistor IRF7314 19,00 Kč Skladem GES 04913384
MOS-P-FET dual 20V 5,3A/4,3A / rds=0,058Ohm. SO8
MOSFET, N-kanál International Rectifier IRF3205 0,008 Ω, 55 V, 110 A TO 220 AB 20,00 Kč Skladem Puhy c_158712
Centrální sklad 98
1 ks 20,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka: Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3205Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 8 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 110 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 62 AC(ISS): 3247 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 146 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
MOSFET International Rectifier IRF8736PBF SO8 IR 20,00 Kč Skladem Puhy c_160909
Centrální sklad 177
1 ks 20,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF8736PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.8 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 18 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 50 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 18 AC(ISS): 2315 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 26 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
MOSFET International Rectifier IRFH8324TR2PBF PQFN 5X6 IR 20,00 Kč Skladem Puhy c_160990
Centrální sklad 264
1 ks 20,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFH8324TR2PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): PQFN 5x6Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.1 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 23 A · 90 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 50 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 20 AC(ISS): 2380 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 31 CReferenční napětí C(ISS): 10 VVýkon: 3.6 W
MOSFET (HEXFET) Vishay IRF620PBF, N kanál, typ pouzdra TO 220, 0,8 Ω, 200 V, 5,2 A 20,00 Kč Skladem Puhy c_162416
Centrální sklad 151
1 ks 20,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF620PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 800 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.1 AC(ISS): 260 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 14 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF820 3 Ω, 2,5 A TO 220 20,00 Kč Skladem Puhy c_162520
Centrální sklad 427
1 ks 20,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF820PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 3 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.5 AC(ISS): 360 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 24 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 W
IRSM836-025MATR 20,03 Kč Skladem TME 144048
Sklad 3
1 ks 20,03 Kč
Načteno
Driver; IPM,3fázový kontrolér motoru; iMOTION™; 2A; PQFN12X12
MOSFET International Rectifier IRFH5406TR2PBF PQFN 5X6 IR 21,00 Kč Skladem Puhy c_160986
Centrální sklad 3136
1 ks 21,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFH5406TR2PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): PQFN 5x6Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 14.4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 11 A · 40 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 50 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 24 AC(ISS): 1256 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.6 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF630N 0,3 Ω, 9,3 A TO 220 21,00 Kč Skladem Puhy c_162421
Centrální sklad 795
1 ks 21,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF630NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 300 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.4 AC(ISS): 575 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 82 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7416 HEXFET SO-8 0,02 Ω, -10 A SO 8 21,00 Kč Skladem Puhy c_162476
Centrální sklad 218
1 ks 21,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7416PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 20 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 10 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.6 AC(ISS): 1700 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 92 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
Mosfet P-FET tranzistor IRF9630 22,00 Kč Skladem GES 04901731
MOS-P-FET 200V/ 6,5A/ 75W/ rds=0,80Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET tranzistor IRFU120N 22,90 Kč Skladem GES 04913338
MOS-N-FET 100V/ 9,4A/ 48W/ rds=0,21Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p
MOSFET International Rectifier IRF7842PBF SO8 IR 23,00 Kč Skladem Puhy c_160893
Centrální sklad 89
1 ks 23,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7842PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 18 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 17 AC(ISS): 4500 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.25 VQ(G): 50 CReferenční napětí C(ISS): 20 VVýkon: 2.5 W
Unipolární tranzistor IRF1010E TO220AB 23,00 Kč Skladem GME 213-233
Uds: 60 V, Idss: 84 A, Pd: 200 W, Rds: 0,012 Ohm ...
MOSFET International Rectifier IRFD014PBF 0,2 Ω, 1,7 A HEXDIP 24,00 Kč Skladem Puhy c_162579
Centrální sklad 24
1 ks 24,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFD014PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): HEXDIPProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 200 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 1.7 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1 AC(ISS): 310 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 11 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 1.3 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7343 HEXFET SO-8 0,05 Ω, 4,7 A/-3,4 A SO 8 25,00 Kč Skladem Puhy c_162459
Centrální sklad 63
1 ks 25,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7343Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 50 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.7 A · 3.4 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanál · P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.7 AC(ISS): 740 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 36 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF9Z34N, kanál P, TO 220, 0,10 Ω, 55 V, -19 A 25,00 Kč Skladem Puhy c_162551
Centrální sklad 1610
1 ks 25,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9Z34NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 100 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 19 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 10 AC(ISS): 620 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
Mosfet N-FET tranzistor IRF7413 25,00 Kč Skladem GES 04913176
MOS-N-FET 30V/ 9,2A / rds=0,011Ohm. SO8
Modul s N channel mosfet IRF520 26,00 Kč Skladem GME 775-126
Modul s mosfet tranzistorem IRF520 (případně ekvival...
Mosfet P-FET tranzistor IRF9640 26,00 Kč Skladem GES 04901732
MOS-P-FET 200V/ 11A/ 125W/ rds=0,80Ohm. TO220 G D S D 17p
MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF730 1 Ω, 5,5 A TO 220 26,00 Kč Skladem Puhy c_162441
Centrální sklad 130
1 ks 26,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 400 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF730PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 1 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.3 AC(ISS): 700 pFU(DSS): 400 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
MOSFET International Rectifier IRFBG30PBF 5 Ω, 3,1 A TO 220 26,00 Kč Skladem Puhy c_162578
Centrální sklad 133
1 ks 26,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 1000 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFBG30PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.1 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.9 AC(ISS): 980 pFU(DSS): 1000 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 80 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 125 W
MOSFET International Rectifier IRFB4019PBF TO220AB IR 27,00 Kč Skladem Puhy c_160930
Centrální sklad 7
1 ks 27,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4019PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 95 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 17 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 50 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 10 AC(ISS): 800 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4.9 VQ(G): 20 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 80 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7319 HEXFET SO-8 0,029 Ω, 6,5 A/-4,9 A SO 8 27,00 Kč Skladem Puhy c_162456
Centrální sklad 251
1 ks 27,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7319Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 29 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VTyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanál · P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.8 AC(ISS): 650 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 33 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
IR2153 DIP8 INTERNATIONAL RECTIFIER 27,00 Kč Skladem GME 399-159
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER, 10..15,6V, DIP8...
IR2153STRPBF 28,23 Kč Skladem TME 141655
Sklad 1285
1 ks 28,23 Kč
5 ks 25,12 Kč
25 ks 20,16 Kč
100 ks 17,06 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; 625mW; Kanály:2; SO8
Mosfet N-FET tranzistor IRF3205 29,00 Kč Skladem GES 04913359
MOS-N-FET 55V/ 110A/ 200W/ rds=0,008Ohm. TO220, G D S D 17p
Mosfet N/P-FET tranzistor IRF7389 29,00 Kč Skladem GES 04913157
MOS-N (P)-FET dual 30 (-30V) 7,3A (-5,3A)/ rds=0,029Ohm. (0,058Ohm.) SO8
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3710S HEXFET D2PAK 0,025 Ω, 57 A D2PAK 29,00 Kč Skladem Puhy c_162398
Centrální sklad 951
1 ks 29,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3710SPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 23 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 57 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 28 AC(ISS): 3130 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 130 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF540N 0,052 Ω, 33 A TO 220 29,00 Kč Skladem Puhy c_162412
Centrální sklad 772
1 ks 29,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF540NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 44 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 33 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1960 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 71 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 130 W
MOSFET International Rectifier IRF1018EPBF TO220AB IR 30,00 Kč Skladem Puhy c_160859
Centrální sklad 188
1 ks 30,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1018EPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 8.4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 79 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 47 AC(ISS): 2290 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 69 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 110 W
MOSFET International Rectifier IRFB4610PBF TO220AB IR 30,00 Kč Skladem Puhy c_160947
Centrální sklad 34
1 ks 30,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4610PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 14 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 73 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 44 AC(ISS): 3550 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 140 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 190 W
MOSFET International Rectifier IRFU4615PBF I-PAK IR 30,00 Kč Skladem Puhy c_161132
Centrální sklad 24
1 ks 30,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFU4615PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): I-PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 42 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 33 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 21 AC(ISS): 1750 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 26 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 144 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7421D1 FETKY SO-8 0,035 Ω, 5,8 A SO 8 31,00 Kč Skladem Puhy c_162477
Centrální sklad 625
1 ks 31,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): FETKY™Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7421D1Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 35 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.1 AC(ISS): 510 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBC40PBF, TO 220, 1,2 Ω, 600 V, 6,2 A 32,00 Kč Skladem Puhy c_162568
Centrální sklad 62
1 ks 32,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 600 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFBC40PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 1.2 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 6.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.7 AC(ISS): 1300 pFU(DSS): 600 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 60 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 125 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7313 HEXFET SO-8 0,029 Ω, 6,5 A SO 8 33,00 Kč Skladem Puhy c_162452
Centrální sklad 8
1 ks 33,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7313Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 29 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 6.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.8 AC(ISS): 650 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 33 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF9640, TO 220, 0,5 Ω, 200 V, 11 A 34,00 Kč Skladem Puhy c_162542
Centrální sklad 386
1 ks 34,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF9640PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 500 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 11 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 6.6 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 44 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 125 W
MOSFET International Rectifier IRFBC20PBF 4,4 Ω, 2,2 A TO 220 34,00 Kč Skladem Puhy c_162564
Centrální sklad 115
1 ks 34,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 600 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFBC20PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.4 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.3 AC(ISS): 350 pFU(DSS): 600 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 18 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 W
Mosfet P-FET tranzistor IRF4905 35,00 Kč Skladem GES 04913155
MOS-P-FET 55V/ 75A/ 200W/ rds=0,020Ohm. TO220 G D S D 17p
MOSFET Fairchild Semiconductor N kanál N-CH 100 IRFM120ATF SOT-223-4 FSC 36,00 Kč Skladem Puhy c_1264426
Centrální sklad 70
1 ks 36,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFM120ATFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOT-223-4Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): OnSSplňuje RoHS: AnoVýrobce: ON SemiconductorR(DS)(on): 200 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.15 AC(ISS): 480 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 22 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.4 W
MOSFET International Rectifier IRFI4212H-117P TO220FP 5PIN IR 36,00 Kč Skladem Puhy c_161011
Centrální sklad 52
1 ks 36,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFI4212H-117PZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220FP-5pinProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 72.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 11 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 6.6 AC(ISS): 490 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 18 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 18 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1010E 0,012 Ω, 81 A TO 220 36,00 Kč Skladem Puhy c_162358
Centrální sklad 1144
1 ks 36,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1010EZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 12 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 84 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 50 AC(ISS): 3210 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 130 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
Mosfet N-FET tranzistor IRF3710 36,00 Kč Skladem GES 04913151
MOS-N-FET 100V/ 57A/ 200W/ rds=0,023Ohm. TO220 G D S D 17p
Unipolární tranzistor IRF1404 TO220AB 37,00 Kč Skladem GME 213-273
Uds: 40 V, Idss: 162 A, Pd: 200 W, Rds: 0,004 Ohm ...
IRS2153DSPBF 37,22 Kč Skladem TME 143990
Sklad 179
1 ks 37,22 Kč
3 ks 32,88 Kč
10 ks 26,68 Kč
95 ks 23,27 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -260÷180mA; 625mW
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF820A 3 Ω, 2,5 A TO 220 38,00 Kč Skladem Puhy c_162521
Centrální sklad 148
1 ks 38,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF820AZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.5 AC(ISS): 340 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4.5 VQ(G): 17 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 W
IRS21531DSPBF 38,47 Kč Skladem TME 143988
Sklad 75
1 ks 38,47 Kč
3 ks 33,50 Kč
10 ks 27,91 Kč
95 ks 24,20 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -260÷180mA; 625mW
MOSFET International Rectifier IRFB3307ZPBF TO220AB IR 39,00 Kč Skladem Puhy c_160927
Centrální sklad 125
1 ks 39,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB3307ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 5.8 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 120 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 150 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 4750 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 230 W
Mosfet N-FET tranzistor IRFP250N 39,00 Kč Skladem GES 04901738
MOS-N-FET 200V/ 30A/ 210W/ rds=0,075Ohm. TO247 G D S D 16p
MOSFET International Rectifier IRFU3504ZPBF I-PAK IR 40,00 Kč Skladem Puhy c_161123
Centrální sklad 115
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFU3504ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): I-PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 42 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 42 AC(ISS): 1510 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 45 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 90 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1010N 0,012 Ω, 85 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162362
Centrální sklad 106
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1010NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 11 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 85 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 43 AC(ISS): 3210 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 180 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF610S HEXFET D2PAK 1,5 Ω, 3,3 A D2PAK 40,00 Kč Skladem Puhy c_162415
Centrální sklad 679
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF610SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2 AC(ISS): 140 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 8.2 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF634 0,45 Ω, 8,1 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162423
Centrální sklad 265
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VSérie (polovodiče): MESH OVERLAY™Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF634Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 450 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4 AC(ISS): 770 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 51.8 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 80 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7303 HEXFET SO-8 0,05 Ω, 4,9 A SO 8 40,00 Kč Skladem Puhy c_162444
Centrální sklad 292
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7303PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 50 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.9 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.4 AC(ISS): 520 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 25 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF730A 1 Ω, 5,5 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162449
Centrální sklad 17
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 400 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF730AZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.3 AC(ISS): 600 pFU(DSS): 400 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4.5 VQ(G): 22 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
MOSFET International Rectifier IRFU4105ZPBF I-PAK IR 42,00 Kč Skladem Puhy c_161131
Centrální sklad 170
1 ks 42,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFU4105ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): I-PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 24.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 30 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 18 AC(ISS): 740 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 48 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF9953 HEXFET SO-8 0,25 Ω, -2,3 A SO 8 42,00 Kč Skladem Puhy c_162545
Centrální sklad 10
1 ks 42,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9953Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 250 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1 AC(ISS): 190 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 12 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2 W
MOSFET International Rectifier IRFZ44ZPBF TO220AB IR 43,00 Kč Skladem Puhy c_161135
Centrální sklad 566
1 ks 43,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFZ44ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 13.9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 51 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 31 AC(ISS): 1420 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 43 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 80 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1404 0,004 Ω, 162 A TO 220 43,00 Kč Skladem Puhy c_162372
Centrální sklad 534
1 ks 43,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1404PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 202 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 121 AC(ISS): 5669 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 196 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 333 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7402 HEXFET SO-8 0,035 Ω, 6,8 A SO 8 43,00 Kč Skladem Puhy c_162464
Centrální sklad 424
1 ks 43,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7402Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 35 m?Referenční napětí R(DS)(on): 4.5 VI(d): 6.8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.1 AC(ISS): 650 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 22 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
MOSFET International Rectifier IRFR3607PBF DPAK IR 44,00 Kč Skladem Puhy c_161077
Centrální sklad 2
1 ks 44,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFR3607PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 56 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 46 AC(ISS): 3070 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 84 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 140 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7341 HEXFET SO-8 0,05 Ω, 4,7 A SO 8 44,00 Kč Skladem Puhy c_162457
Centrální sklad 127
1 ks 44,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7341Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 50 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.7 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.7 AC(ISS): 740 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 36 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7459 HEXFET SO-8 0,01 Ω, 12 A SO 8 44,00 Kč Skladem Puhy c_162484
Centrální sklad 227
1 ks 44,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7459Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 12 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 12 AC(ISS): 2480 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 10 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3707S HEXFET D2PAK 0,0125 Ω, 62 A D2PAK 45,00 Kč Skladem Puhy c_162393
Centrální sklad 351
1 ks 45,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3707SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 12.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 62 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 15 AC(ISS): 1990 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 19 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 87 W
IR2112 DIP14 INTERNATIONAL RECTIFIER 46,00 Kč Skladem GME 399-157
MOSFET/IGBT driver L/H side, 10..20V, DIP14. Napá...
MOSFET International Rectifier IRFB31N20DPBF 0,082 Ω, 31 A TO 220 46,00 Kč Skladem Puhy c_162559
Centrální sklad 91
1 ks 46,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB31N20DPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 82 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 31 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 18 AC(ISS): 2370 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5.5 VQ(G): 107 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.1 W
IR11672ASPBF 46,52 Kč Skladem TME 141588
Sklad 9
1 ks 46,52 Kč
3 ks 43,43 Kč
10 ks 36,60 Kč
Načteno
Driver; kontrolér SMPS; -7÷2A; 625mW; SO8; Balení: tuba; 200V
MOSFET International Rectifier IRF9333PBF SO8 IR 47,00 Kč Skladem Puhy c_160916
Centrální sklad 106
1 ks 47,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9333PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 19.4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 25 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 9.2 AC(ISS): 1110 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 2.4 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
MOSFET International Rectifier IRF2804SPBF D2PAK IR 48,00 Kč Skladem Puhy c_160867
Centrální sklad 40
1 ks 48,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF2804SPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 75 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 6450 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 240 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 300 W
Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A 48,00 Kč Skladem Puhy c_162406
Centrální sklad 81
1 ks 48,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF5210PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 60 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 40 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 24 AC(ISS): 2700 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 180 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
MOSFET International Rectifier IRFB23N15DPBF 0,09 Ω, 23 A TO 220 48,00 Kč Skladem Puhy c_162556
Centrální sklad 312
1 ks 48,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB23N15DPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 90 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 23 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 14 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5.5 VQ(G): 56 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET International Rectifier IRFB3607PBF TO220AB IR 49,00 Kč Skladem Puhy c_160928
Centrální sklad 240
1 ks 49,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB3607PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 80 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 46 AC(ISS): 3070 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 84 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 140 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF5305S HEXFET D2PAK 0,06 Ω, -31 A D2PAK 49,00 Kč Skladem Puhy c_162409
Centrální sklad 2
1 ks 49,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF5305SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 60 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 31 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 63 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3710 0,025 Ω, 57 A TO 220 51,00 Kč Skladem Puhy c_162397
Centrální sklad 371
1 ks 51,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3710Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 18 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 59 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 35 AC(ISS): 2900 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 160 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7457 HEXFET SO-8 0,007 Ω, 15 A SO 8 51,00 Kč Skladem Puhy c_162482
Centrální sklad 164
1 ks 51,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7457Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 7 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 15 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 15 AC(ISS): 3100 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 42 CReferenční napětí C(ISS): 10 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF9410 HEXFET SO-8 0,03 Ω, 7 A SO 8 52,00 Kč Skladem Puhy c_162532
Centrální sklad 105
1 ks 52,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9410Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 30 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 7 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 7 AC(ISS): 550 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
IR2184STRPBF 52,11 Kč Skladem TME 141669
Sklad 606
1 ks 52,11 Kč
5 ks 45,59 Kč
25 ks 35,99 Kč
100 ks 33,50 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -2,3÷1,9A; 625mW
IR2108SPBF 52,42 Kč Skladem TME 141610
Sklad 33
1 ks 52,42 Kč
5 ks 44,98 Kč
25 ks 36,29 Kč
95 ks 32,57 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -350÷200mA; 625mW
MOSFET Vishay IRFB9N60APBF 0,75 Ω, 9,2 A TO 220 53,00 Kč Skladem Puhy c_162562
Centrální sklad 32
1 ks 53,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 600 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFB9N60APBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 750 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.5 AC(ISS): 1400 pFU(DSS): 600 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 49 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 170 W
Mosfet N-FET tranzistor IRFP064N 54,00 Kč Skladem GES 04913486
MOS-N-FET 55V/ 110A/ 200W/ rds=0,008Ohm. TO247 G D S D 16p
AUIRF1010EZS 55,00 Kč Skladem PSE 1111-302
1 ks 55,00 Kč
N-MOSFET 60V 84A 140W D2PAK
MOSFET International Rectifier IRF3710ZSPBF D2PAK IR 55,00 Kč Skladem Puhy c_160877
Centrální sklad 87
1 ks 55,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3710ZSPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 18 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 59 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 35 AC(ISS): 2900 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 160 W
MOSFET International Rectifier IRFB4310ZPBF TO220AB IR 55,00 Kč Skladem Puhy c_160943
Centrální sklad 81
1 ks 55,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4310ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 6 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 120 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 150 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 6860 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 170 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 250 W
MOSFET International Rectifier IRFB4410ZPBF TO220AB IR 56,00 Kč Skladem Puhy c_160946
Centrální sklad 152
1 ks 56,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4410ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 97 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 150 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 58 AC(ISS): 4820 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 230 W
AUIRF3710ZS 57,00 Kč Skladem PSE 1111-304
1 ks 57,00 Kč
N-MOSFET 100V 59A 160W D2PAK
MOSFET International Rectifier IRFB4227PBF TO220AB IR 58,00 Kč Skladem Puhy c_160940
Centrální sklad 32
1 ks 58,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4227PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -40 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 24 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 65 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 46 AC(ISS): 4600 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 98 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 330 W
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB11N50APBF, TO 220, 0,52 Ω, 500 V, 11 A 59,00 Kč Skladem Puhy c_162553
Centrální sklad 107
1 ks 59,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFB11N50APBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 520 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 11 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 6.6 AC(ISS): 1423 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 52 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 170 W
MOSFET International Rectifier IRF2903ZSPBF D2PAK IR 61,00 Kč Skladem Puhy c_160869
Centrální sklad 12
1 ks 61,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF2903ZSPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2.4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 75 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 150 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 6320 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 240 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 231 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7403 HEXFET SO-8 0,022 Ω, 8,5 A SO 8 61,00 Kč Skladem Puhy c_162465
Centrální sklad 253
1 ks 61,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7403Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 22 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 57 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
MOSFET International Rectifier IRFP2907ZPBF TO247AC IR 62,00 Kč Skladem Puhy c_161014
Centrální sklad 53
1 ks 62,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP2907ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 90 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 90 AC(ISS): 7500 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 270 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 310 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF640NS HEXFET D2PAK 0,15 Ω, 18 A D2PAK 62,00 Kč Skladem Puhy c_162425
Centrální sklad 34
1 ks 62,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF640NSZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 150 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 18 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 11 AC(ISS): 1160 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 67 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 150 W
IR2184SPBF 62,35 Kč Skladem TME 141668
Sklad 96
1 ks 62,35 Kč
3 ks 57,69 Kč
10 ks 47,15 Kč
95 ks 40,01 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -2,3÷1,9A; 625mW
IR2184PBF 62,35 Kč Skladem TME 141667
Sklad 226
1 ks 62,35 Kč
3 ks 56,46 Kč
10 ks 44,66 Kč
50 ks 39,08 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -2,3÷1,9A; 1W; DIP8
MOSFET International Rectifier IRFP3206PBF TO247AC IR 65,00 Kč Skladem Puhy c_161016
Centrální sklad 398
1 ks 65,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP3206PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 120 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 150 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 6540 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 170 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 280 W
MOSFET International Rectifier IRF6724MTR1PBF MED CAN IR 65,00 Kč Skladem Puhy c_161267
Centrální sklad 37
1 ks 65,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF6724MTR1PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DirectFET™Provozní teplota (min.): -40 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 27 A · 150 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 100 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 27 AC(ISS): 4404 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.35 VQ(G): 54 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.8 W
MOSFET International Rectifier IRF1324PBF TO220AB IR 67,00 Kč Skladem Puhy c_160861
Centrální sklad 103
1 ks 67,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 24 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1324PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 195 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 195 AC(ISS): 7590 pFU(DSS): 24 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 240 CReferenční napětí C(ISS): 24 VVýkon: 300 W
MOSFET International Rectifier IRFBC30APBF 2,2 Ω, 3,6 A TO 220 67,00 Kč Skladem Puhy c_162567
Centrální sklad 290
1 ks 67,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 600 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFBC30APBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2.2 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.6 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.2 AC(ISS): 510 pFU(DSS): 600 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4.5 VQ(G): 23 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
Mosfet N-FET tranzistor IRF2805 69,00 Kč Skladem GES 04901711
MOS-N-FET 55V/ 75A/ 330W/ rds=0,0047Ohm. TO220 G D S D 17p
MOSFET International Rectifier IRFB4332PBF TO220AB IR 69,00 Kč Skladem Puhy c_160945
Centrální sklad 3
1 ks 69,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4332PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -40 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 33 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 60 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 35 AC(ISS): 5860 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 150 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 390 W
IR2121 DIP8 INTERNATIONAL RECTIFIER 70,00 Kč Skladem GME 399-180
CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER, 12..18V, DIP8. ...
IRMCK099MTR 71,66 Kč Skladem TME 143924
Sklad 20
1 ks 71,66 Kč
5 ks 64,52 Kč
25 ks 57,08 Kč
100 ks 51,18 Kč
Načteno
Driver; FOC, MCE, PMSM, current monitoring, interní čidlo teploty
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7311 HEXFET SO-8 0,029 Ω, 6,6 A SO 8 74,00 Kč Skladem Puhy c_162451
Centrální sklad 62
1 ks 74,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7311Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 29 m?Referenční napětí R(DS)(on): 4.5 VI(d): 6.6 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 6 AC(ISS): 900 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2 W
IR21844SPBF 76,62 Kč Skladem TME 141665
Sklad 65
1 ks 76,62 Kč
3 ks 68,24 Kč
10 ks 56,46 Kč
55 ks 47,77 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -2,3÷1,9A; 1W; SO14
MOSFET International Rectifier IRFB4229PBF TO220AB IR 78,00 Kč Skladem Puhy c_160942
Centrální sklad 157
1 ks 78,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4229PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -40 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 46 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 46 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 26 AC(ISS): 4560 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 330 W
IGBT tranzistor IRG4PC40W TO247AC 79,00 Kč Skladem GME 213-217
IGBT NPN - Uce: 600 V, Ic: 40 A, Pd: 160 W, Uge: 20 ...
PVI5080NPBF 80,65 Kč Skladem TME 210654
Sklad 104
1 ks 80,65 Kč
5 ks 73,82 Kč
25 ks 64,83 Kč
100 ks 60,49 Kč
Načteno
Optočlen; THT; Kanály:1; Výst: fotodioda; 4kV; DIP8
AUIRF1010Z 83,00 Kč Skladem PSE 1110-018
1 ks 83,00 Kč
N-MOSFET 55V 94A 140W TO220
PVI5050NPBF 84,06 Kč Skladem TME 210652
Sklad 38
1 ks 84,06 Kč
5 ks 76,93 Kč
25 ks 67,62 Kč
100 ks 62,97 Kč
Načteno
Optočlen; THT; Kanály:1; Výst: fotodioda; 4kV; DIP8
PVI5050NSPBF 84,99 Kč Skladem TME 210653
Sklad 50
1 ks 84,99 Kč
5 ks 77,86 Kč
25 ks 68,24 Kč
100 ks 63,59 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:1; Výst: fotodioda; 4kV; Gull wing 8
MOSFET International Rectifier IRFP4110PBF TO247AC IR 85,00 Kč Skladem Puhy c_161019
Centrální sklad 64
1 ks 85,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP4110PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 120 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 9620 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 210 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 370 W
MOSFET International Rectifier IRFB3207ZPBF TO220AB IR 89,00 Kč Skladem Puhy c_160925
Centrální sklad 7
1 ks 89,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB3207ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.1 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 120 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 150 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 6920 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 170 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 300 W
IR2181SPBF 89,33 Kč Skladem TME 141663
Sklad 66
1 ks 89,33 Kč
5 ks 81,58 Kč
25 ks 66,70 Kč
95 ks 56,46 Kč
Načteno
Driver; integrated bootstrap functionality, nábojová pumpa
MOSFET International Rectifier IRFBC40LCPBF 1,2 Ω, 6,2 A TO 220 92,00 Kč Skladem Puhy c_162570
Centrální sklad 61
1 ks 92,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 600 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFBC40LCPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.2 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 6.2 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.7 AC(ISS): 1100 pFU(DSS): 600 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 39 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 125 W
MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB18N50K 0,25 Ω, 17 A TO 220 93,00 Kč Skladem Puhy c_162555
Centrální sklad 31
1 ks 93,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFB18N50KPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 290 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 17 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETTyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 10 AC(ISS): 2830 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 220 W
IR2301SPBF 93,68 Kč Skladem TME 141673
Sklad 51
1 ks 93,68 Kč
3 ks 80,65 Kč
25 ks 64,83 Kč
95 ks 58,31 Kč
Načteno
Driver; integrated bootstrap functionality, nábojová pumpa
PVI5013RSPBF 94,30 Kč Skladem TME 210648
Sklad 64
1 ks 94,30 Kč
5 ks 84,99 Kč
25 ks 77,86 Kč
100 ks 68,55 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:2; Výst: fotodioda; 3,75kV; Gull wing 8
MOSFET International Rectifier IRFBF30PBF 3,7 Ω, 3,6 A TO 220 96,00 Kč Skladem Puhy c_162576
Centrální sklad 50
1 ks 96,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 900 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFBF30PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3.7 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.6 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.2 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 900 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 78 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 125 W
MOSFET International Rectifier IRFB9N65APBF 0,9 Ω, 8,5 A TO 220 97,00 Kč Skladem Puhy c_162563
Centrální sklad 131
1 ks 97,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 650 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFB9N65APBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 930 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.1 AC(ISS): 1417 pFU(DSS): 650 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 48 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 167 W
Mosfet N-FET tranzistor AP40T03GP 109,00 Kč Skladem GES 04913511
MOS-N-FET 30V/ 28A/ 31W, rds=0,025Ohm, TO220 G D S D 17j
MOSFET International Rectifier IRFB4321PBF TO220AB IR 109,00 Kč Skladem Puhy c_160944
Centrální sklad 7
1 ks 109,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4321PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 15 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 85 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 33 AC(ISS): 4460 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 350 W
IR2183SPBF 112,29 Kč Skladem TME 141664
Sklad 36
1 ks 112,29 Kč
5 ks 96,78 Kč
25 ks 77,85 Kč
95 ks 69,79 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -2,3÷1,9A; 625mW
PVI1050NPBF 117,25 Kč Skladem TME 210643
Sklad 49
1 ks 117,25 Kč
5 ks 107,63 Kč
25 ks 94,61 Kč
Načteno
Optočlen; THT; Výst: fotodioda; DIP8
MOSFET International Rectifier IRFS4115PBF D2PAK IR 119,00 Kč Skladem Puhy c_161109
Centrální sklad 3
1 ks 119,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFS4115PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 12.1 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 195 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 62 AC(ISS): 5270 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 375 W
PVI5033RPBF 132,76 Kč Skladem TME 210649
Sklad 46
1 ks 132,76 Kč
5 ks 121,90 Kč
25 ks 107,01 Kč
100 ks 99,57 Kč
Načteno
Optočlen; THT; Kanály:2; Výst: fotodioda; 3,75kV; DIP8
MOSFET International Rectifier IRFB4115PBF TO220AB IR 139,00 Kč Skladem Puhy c_160934
Centrální sklad 61
1 ks 139,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFB4115PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 11 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 104 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 62 AC(ISS): 5270 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 380 W
MOSFET International Rectifier IRFP3077PBF TO247AC IR 139,00 Kč Skladem Puhy c_161015
Centrální sklad 10
1 ks 139,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP3077PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3.3 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 120 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 9400 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 220 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 340 W
PVT422PBF 148,27 Kč Skladem TME 210733
Sklad 1
1 ks 148,27 Kč
5 ks 131,21 Kč
25 ks 114,77 Kč
100 ks 98,64 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; DPST-NO; Iovlad:2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
PVI5033RSPBF 148,89 Kč Skladem TME 210651
Sklad 50
1 ks 148,89 Kč
5 ks 122,83 Kč
25 ks 107,94 Kč
100 ks 100,50 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:2; Výst: fotodioda; 3,75kV; Gull wing 8
MOSFET International Rectifier IRF2804S-7PPBF D2PAK 7PIN IR 149,00 Kč Skladem Puhy c_160866
Centrální sklad 2
1 ks 149,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF2804S-7PPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAK-7pinProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.6 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 160 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 160 AC(ISS): 6930 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 260 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 330 W
PVG612 150,20 Kč Skladem TME 210636
Sklad 141
1 ks 150,20 Kč
5 ks 128,83 Kč
25 ks 121,63 Kč
100 ks 100,04 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; SPST-NO; Iovlad:5÷25mA; 2,4A; 0÷60VAC; 150mΩ
PVT422SPBF 152,61 Kč Skladem TME 210734
Sklad 18
1 ks 152,61 Kč
5 ks 135,24 Kč
25 ks 118,50 Kč
100 ks 101,74 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; DPST-NO; Iovlad:2÷25mA; 350mA; 0÷400VAC; 35Ω
PVG612S 156,95 Kč Skladem TME 210638
Sklad 602
1 ks 156,95 Kč
5 ks 110,74 Kč
25 ks 101,43 Kč
100 ks 92,75 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; SPST-NO; Iovlad:5÷25mA; 2,4A; 0÷60VAC; 150mΩ
PVT322SPBF 157,26 Kč Skladem TME 210731
Sklad 40
1 ks 157,26 Kč
5 ks 139,59 Kč
25 ks 122,21 Kč
100 ks 104,85 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; DPST-NO; Iovlad:2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
PVT322PBF 159,13 Kč Skladem TME 210730
Sklad 100
1 ks 159,13 Kč
5 ks 141,13 Kč
25 ks 123,46 Kč
100 ks 106,08 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; DPST-NO; Iovlad:2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
MOSFET International Rectifier IRFP4568PBF TO247AC IR 169,00 Kč Skladem Puhy c_161050
Centrální sklad 10
1 ks 169,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 150 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP4568PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 5.9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 171 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 103 AC(ISS): 10470 pFU(DSS): 150 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 227 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 517 W
PVI1050NSPBF 195,42 Kč Skladem TME 210645
Sklad 71
1 ks 195,42 Kč
5 ks 173,39 Kč
25 ks 151,69 Kč
100 ks 130,28 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:2; Výst: fotodioda; 2,5kV; Gull wing 8
PVN012 198,78 Kč Skladem TME 210674
Sklad 118
1 ks 198,78 Kč
5 ks 169,13 Kč
25 ks 154,73 Kč
100 ks 139,62 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; SPST-NO; Iovlad:3÷25mA; 3A; 0÷20VAC; -20÷20VDC
PVDZ172NPBF 258,70 Kč Skladem TME 210629
Sklad 203
1 ks 258,70 Kč
5 ks 229,22 Kč
25 ks 200,99 Kč
100 ks 172,46 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; SPST-NO; Iovlad:5÷25mA; 1,5A; 0÷60VDC; 250mΩ
MOSFET International Rectifier IRFP4468PBF TO247AC IR 259,00 Kč Skladem Puhy c_161038
Centrální sklad 143
1 ks 259,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP4468PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2.6 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 195 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 180 AC(ISS): 19860 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 540 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 520 W
MOSFET International Rectifier IRFP4768PBF TO247AC IR 279,00 Kč Skladem Puhy c_161062
Centrální sklad 29
1 ks 279,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP4768PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247ACProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 17.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 93 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 56 AC(ISS): 10880 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5 VQ(G): 270 CReferenční napětí C(ISS): 50 VVýkon: 520 W
PVG612ASPBF 332,21 Kč Skladem TME 210637
Sklad 110
1 ks 332,21 Kč
5 ks 294,67 Kč
25 ks 258,07 Kč
100 ks 221,47 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; SPST-NO; Iovlad:5÷25mA; 4A; 0÷60VAC; -60÷60VDC
IR2233JPBF 620,68 Kč Skladem TME 141672
Sklad 12
1 ks 620,68 Kč
3 ks 535,69 Kč
10 ks 431,16 Kč
27 ks 387,73 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -420÷200mA; 2W
IR21844SPBF SMD INFINEON (IRF) 71,00 Kč Neznama GME 933-127
Nábojová Pumpa, 10..20V, SO14. Napájení: 10..20V...
IRF7329TRPBF SO8 30,00 Kč Neznama GME 915-184
Tranzistorová pole unipolární, Provedení: SMD, Počet...
IRF7343TRPBF SO8 13,00 Kč Neznama GME 915-179
Tranzistorová pole unipolární, Provedení: SMD, Počet...
RF set s multifunkčním stmívacím aktorem RFSET-DW-F1 1,00 Kč Neznama GME 634-447
Tento set obsahuje stmívací aktor RFDA-71B a nástěnn...
RF set se stmívacím aktorem RFSET-DK-Z1 1,00 Kč Neznama GME 634-438
Tento set obsahuje stmívací aktor RFDA-11B a klíčenk...
Mosfet N-FET tranzistor IRFP044N 46,00 Kč Nejsou GES 04913262
MOS-N-FET 60V/ 57A/ 180W/ rds=0,028Ohm. TO247 G D S D 16p
Mosfet N-FET tranzistor IRF7380 22,00 Kč Nejsou GES 04913404
MOS-N-FET dual 80V 3,6A/2,9A / rds=0,086Ohm. SO8
Mosfet N-FET tranzistor IRF7470 29,00 Kč Nejsou GES 04913337
MOS-N-FET 40V/ 10A / rds=0,013Ohm. SO8
Mosfet N-FET tranzistor IRF2807 36,00 Kč Nejsou GES 04913366
MOS-N-FET 75V/ 82A/ 230W/ rds=0,013Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet P-FET tranzistor IRF5305 25,00 Kč Nejsou GES 04913148
MOS-P-FET 55V/ 31A/ 110W/ rds=0,060Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET tranzistor IRF530N 15,90 Kč Nejsou GES 04913195
MOS-N-FET 100V/ 14A/ 79W/ rds=0,90Ohm. TO220 G D S D 17p
IRMCK099M 48,39 Kč Nejsou TME 143923
Sklad 0
2450 ks 48,39 Kč
Načteno
Driver; FOC, MCE, PMSM, current monitoring, interní čidlo teploty
IRSM836-024MATR 94,92 Kč Nejsou TME 144047
Sklad 0
2000 ks 94,92 Kč
Načteno
Driver; IPM,3fázový kontrolér motoru; iMOTION™; 2A; PQFN12X12
IR21844STRPBF 43,43 Kč Nejsou TME 141666
Sklad 0
2500 ks 43,43 Kč
Načteno
Driver; high-/low-side switch, budič hradel; -2,3÷1,9A; 1W; SO14
IR1169STRPBF 45,29 Kč Nejsou TME 141593
Sklad 0
2500 ks 45,29 Kč
Načteno
Driver; kontrolér SMPS; -4÷1A; 625mW; SO8; Balení: role, páska; 200V
AUIPS2052GTR 28,23 Kč Nejsou TME 53691
Sklad 0
2500 ks 28,23 Kč
Načteno
IC: power switch; low-side switch; 900mA; Kanály:1; N-Channel; SMD
PVI5013RS-TPBF 126,24 Kč Nejsou TME 210647
Sklad 0
1 ks 126,24 Kč
5 ks 104,22 Kč
25 ks 91,50 Kč
100 ks 85,30 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:2; Výst: fotodioda; 3,75kV; Gull wing 8
PVI5033RS-TPBF 258,69 Kč Nejsou TME 210650
Sklad 0
1 ks 258,69 Kč
5 ks 227,36 Kč
25 ks 211,55 Kč
100 ks 203,79 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:2; Výst: fotodioda; 3,75kV; Gull wing 8
PVI5080NSPBF 84,99 Kč Nejsou TME 210655
Sklad 0
1 ks 84,99 Kč
5 ks 77,86 Kč
25 ks 68,55 Kč
100 ks 63,90 Kč
Načteno
Optočlen; SMD; Kanály:1; Výst: fotodioda; 4kV; Gull wing 8
PVT412LSPBF 84,68 Kč Nejsou TME 210732
Sklad 0
1 ks 84,68 Kč
5 ks 75,07 Kč
25 ks 65,76 Kč
100 ks 56,46 Kč
Načteno
Relé: polovidičová; SPST-NO; Iovlad:3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
AUIRF1010EZ 69,00 Kč Nejsou PSE 1110-017
1 ks 69,00 Kč
N-MOSFET 60V 84A 140W TO220
AUIRF1324 119,00 Kč Nejsou PSE 1110-023
1 ks 119,00 Kč
N-MOSFET 55V 210A 300W TO220AB
AUIRF1324WL 131,00 Kč Nejsou PSE 1110-026
1 ks 131,00 Kč
N-MOSFET 24V 382A 300W TO262WL
AUIRF1404ZL 95,00 Kč Nejsou PSE 1110-027
1 ks 95,00 Kč
N-MOSFET 40V 180A 200W TO262
AUIRF1404ZS 95,00 Kč Nejsou PSE 1111-303
1 ks 95,00 Kč
N-MOSFET 55V 94A 140W D2PAK
AUIRF3004WL 162,00 Kč Nejsou PSE 1110-040
1 ks 162,00 Kč
N-MOSFET 40V 386A 375W TO262WL
AUIRF3205Z 69,00 Kč Nejsou PSE 1110-041
1 ks 69,00 Kč
N-MOSFET 55V 110A 170W TO220AB
AUIRF3305 111,00 Kč Nejsou PSE 1110-042
1 ks 111,00 Kč
N-MOSFET 55V 140A 330W TO220AB
AUIRF3504 58,00 Kč Nejsou PSE 1110-045
1 ks 58,00 Kč
N-MOSFET 40V 87A 140W TO220AB
AUIRF3710Z 55,00 Kč Nejsou PSE 1110-046
1 ks 55,00 Kč
N-MOSFET 100V 59A 160W TO220AB
AUIRF3805 129,00 Kč Nejsou PSE 1110-047
1 ks 129,00 Kč
N-MOSFET 55V 210A 300W TO220AB
AUIRF3805S-7P 124,00 Kč Nejsou PSE 1111-305
1 ks 124,00 Kč
N-MOSFET 55V 240A 300W D2PAK-7
AUIRF4104 53,00 Kč Nejsou PSE 1110-053
1 ks 53,00 Kč
N-MOSFET 40V 120A 140W TO220AB
AUIRF4104S 55,00 Kč Nejsou PSE 1111-306
1 ks 55,00 Kč
N-MOSFET 40V 120A 140W D2PAK
AUIRF540Z 50,00 Kč Nejsou PSE 1110-059
1 ks 50,00 Kč
N-MOSFET 100V 36A 92W TO220AB
AUIRF540ZS 51,00 Kč Nejsou PSE 1111-307
1 ks 51,00 Kč
N-MOSFET 100V 36A 92W D2PAK
AUIRF7303QTR 34,00 Kč Nejsou PSE 1111-308
1 ks 34,00 Kč
N-MOSFET 30V 4,9A 2W SO8
Reklama:

Velký dron s HD kamerou Létejte z pohledu pilota pomocí obrazovky mobilu. Foťte a natáčejte úžasná letecká videa a snímky.