HledejSoučástky.cz


Nalezených součástek: 160       Optimalizace nákupu
Součástka:
Řadit:
Obrázek Název Cena
s DPH
Sklad Obchod Sklad.č. Detail dostupnost Slevy
Optimalizace:
Popis
2N7002 2,90 Kč Skladem PSE 1111-635
1 ks 2,90 Kč
N-MOSFET 60V 800mA 200mW SOT23
2N7000 3,30 Kč Skladem PSE 1105-233
1 ks 3,30 Kč
Tranzistor N-FET 60V 20mA 400mW TO92
Mosfet N-FET tranzistor 2N7002 3,90 Kč Skladem GES 04900611
MOS-N-FET-D-MOS 60V / 0,180A (kód 72, 702, 12W), SOT23 S G D 5a
J-FET N-kanál tranzistor BF256B 4,50 Kč Skladem GES 04901373
N-FET VHF/UHF, 30V/ Idss>6mA/ 800MHz TO92 D S G 7f
B083D /TL083/ 2xOZ J-FET,DIP14 5,00 Kč Skladem Puhy h_f111
Centrální sklad 893
1 ks 5,00 Kč
Načteno
B066D /TL066/ OZ J-FET,DIP8 5,00 Kč Skladem Puhy h_f113
Centrální sklad 900
1 ks 5,00 Kč
Načteno
B060D /TL060/ OZ J-FET,DIP8 5,00 Kč Skladem Puhy h_f119
Centrální sklad 945
1 ks 5,00 Kč
Načteno
TL062 2xOZ J-FET DIL8 5,00 Kč Skladem Puhy h_f123
Centrální sklad 4354
1 ks 5,00 Kč
Načteno
B064D /TL064/ 4xOZ J-FET, DIP14 5,00 Kč Skladem Puhy h_f124a
Centrální sklad 732
1 ks 5,00 Kč
Načteno
B081D /TL081/ OZ J-FET,DIP8 5,00 Kč Skladem Puhy h_f128a
Centrální sklad 587
1 ks 5,00 Kč
Načteno
Operační zesilovač STMicroelectronics Dual J-FET OP TL082CDT, SO 14 6,00 Kč Skladem Puhy c_155627
Centrální sklad 1420
1 ks 6,00 Kč
Načteno
Integrované obvody předních výrobců. Nahlédněte prosím do dokumentace, která je vám bezplatně k dispozici v sekci \"Ke stažení\".Parametry:Rychlost přeběhu: 16 V/µsVstupní klidový proud: 20 pATyp (výrobce): TL082CDTNapájecí proud: 1.4 mAVstupní napětí (offset): 3 mVZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): 0 °CProvozní teplota (max.): +70 °CZkratka výrobce (součástky): STMPočet obvodů: 2Výrobce: STMicroelectronicsTyp lineárního IO (kategorie): Operační zesilovačProudový výstup / kanál: 40 mASoučin zesílení a šířky pásma: 4 MHzMin. napájecí napětí: +6 VMax. napájecí napětí: +36 VMax. napájecí napětí double: +18 VMin. napájecí napětí double: -3 V · +3 VTyp zesilovače: JFET
TL081 OZ J-FET DIL8 7,01 Kč Skladem Puhy h_f128
Centrální sklad 47
1 ks 7,01 Kč
Načteno
KS4392 N FET 40V/ 50mA 0,3W TO92 8,00 Kč Skladem Puhy h_b706a
Centrální sklad 2748
1 ks 8,00 Kč
Načteno
LF353N - 2x OZ J-FET, DIL8 9,99 Kč Skladem Puhy h_e655
Centrální sklad 118
1 ks 9,99 Kč
Načteno
GBW 4MHz, SR 13V/us, Voff 5mV, +/-5 až +/-18V, 0až70°C
TL071CD OZ-J fet SMD SOP8 9,99 Kč Skladem Puhy h_f122
Centrální sklad 15
1 ks 9,99 Kč
Načteno
JFET, GBW 3MHz, SE 13V/us, Voff 3mV, nap. +/-3,5 až +/-18V, 0-70°C
TL064 4xOZ J-FET DIL14 9,99 Kč Skladem Puhy h_f124
Centrální sklad 26
1 ks 9,99 Kč
Načteno
Napájení: +/-18V
BF245B N J-FET 30V/15mA 0,3W 1MHz TO92 12,87 Kč Skladem Puhy h_b705
Centrální sklad 159
1 ks 12,87 Kč
Načteno
*OBSOLETE
KSN20 - tranzistor FET NPN 200V/200mA, 0,73W, TO-92 13,20 Kč Skladem Puhy h_b440a
Centrální sklad 10
1 ks 13,20 Kč
Načteno
TL074 4xOZ J-FET DIL14 nízkošumový 14,00 Kč Skladem Puhy h_f127
Centrální sklad 32
1 ks 14,00 Kč
Načteno
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR13N20D HEXFET D-PAK 0,235 Ω, 14 A DPAK 15,00 Kč Skladem Puhy c_162684
Centrální sklad 676
1 ks 15,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFR13N20DZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 235 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 13 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 8 AC(ISS): 830 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5.5 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 110 W
TL072 2xOZ J-FET DIL8 16,00 Kč Skladem Puhy h_f126
Centrální sklad 50
1 ks 16,00 Kč
Načteno
Dual JFET Input Op-Amp, GBW 4MHz, SR 16V/us, Voff 3mV, +/-3÷+/-18V, 0÷70°C * RoHS
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7105 HEXFET SO-8 0,109 Ω, 3,5 A/-2,3 A SO 8 16,00 Kč Skladem Puhy c_162433
Centrální sklad 139
1 ks 16,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 25 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7105PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 100 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.5 A · 2.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanál · P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1 AC(ISS): 330 pFU(DSS): 25 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF830 1,5 Ω, 4,5 A TO 220 17,00 Kč Skladem Puhy c_162522
Centrální sklad 124
1 ks 17,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF830PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 1.5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.7 AC(ISS): 610 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR2905 HEXFET D-PAK 0,027 Ω, 42 A DPAK 17,00 Kč Skladem Puhy c_162848
Centrální sklad 1917
1 ks 17,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRLR2905PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 27 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 42 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 25 AC(ISS): 1700 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 5 VU(GS)(th) max.: 2 VQ(G): 48 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 110 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier SI4410DY HEXFET SO-8 0,0135 Ω, 30 V, 10 A SO 8 18,00 Kč Skladem Puhy c_162881
Centrální sklad 1149
1 ks 18,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): PowerTrench®Kanálů: 1Typ (výrobce): SI4410DYZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 13.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 10 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 10 AC(ISS): 1350 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 60 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
MAE412 - 2xOZ J-FET, DIL 8 19,00 Kč Skladem Puhy h_f009b
Centrální sklad 17
1 ks 19,00 Kč
Načteno
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7103 HEXFET SO-8 0,13 Ω, 3 A SO 8 19,00 Kč Skladem Puhy c_162431
Centrální sklad 19
1 ks 19,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 50 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7103PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 130 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3 AC(ISS): 290 pFU(DSS): 50 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 30 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
Mosfet P-FET tranzistor IRF7314 19,00 Kč Skladem GES 04913384
MOS-P-FET dual 20V 5,3A/4,3A / rds=0,058Ohm. SO8
J-FET N-kanál tranzistor 2SK212 19,90 Kč Skladem GES 04901049
N-FET FM 20V Idss>0,6 mA Up
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF820 3 Ω, 2,5 A TO 220 20,00 Kč Skladem Puhy c_162520
Centrální sklad 432
1 ks 20,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF820PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 3 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.5 AC(ISS): 360 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 24 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 W
MAB357 operační zesilovač J-FET TO99 20,00 Kč Skladem Puhy h_e919
Centrální sklad 526
1 ks 20,00 Kč
Načteno
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF630N 0,3 Ω, 9,3 A TO 220 21,00 Kč Skladem Puhy c_162421
Centrální sklad 797
1 ks 21,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF630NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 300 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 9.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.4 AC(ISS): 575 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 82 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7416 HEXFET SO-8 0,02 Ω, -10 A SO 8 21,00 Kč Skladem Puhy c_162476
Centrální sklad 218
1 ks 21,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7416PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 20 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 10 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.6 AC(ISS): 1700 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 92 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
IRF3205 N FET 55V/110A/200W Rds 0,008Ohm TO220AB PbF 21,01 Kč Skladem Puhy h_c916
Centrální sklad 19
1 ks 21,01 Kč
Načteno
RoHS
CA3140E OZ J-FET, DIL8 22,00 Kč Skladem Puhy h_f107
Centrální sklad 51
1 ks 22,00 Kč
Načteno
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR2407 HEXFET D-PAK 0,026 Ω, 42 A DPAK 22,00 Kč Skladem Puhy c_162690
Centrální sklad 175
1 ks 22,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFR2407Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 26 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 42 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 25 AC(ISS): 2400 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 110 W
Mosfet N-FET tranzistor IRFU120N 22,90 Kč Skladem GES 04913338
MOS-N-FET 100V/ 9,4A/ 48W/ rds=0,21Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p
BF988 N FET 12V/30nA 0,2W 800MHz dualgate UHF - vVISHAY 23,00 Kč Skladem Puhy h_b707
Centrální sklad 23
1 ks 23,00 Kč
Načteno
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFZ48NS HEXFET D2PAK 0,016 Ω, 64 A D2PAK 24,00 Kč Skladem Puhy c_162755
Centrální sklad 292
1 ks 24,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFZ48NSPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 14 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 64 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 32 AC(ISS): 1970 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 81 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7343 HEXFET SO-8 0,05 Ω, 4,7 A/-3,4 A SO 8 25,00 Kč Skladem Puhy c_162459
Centrální sklad 63
1 ks 25,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7343Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 50 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.7 A · 3.4 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanál · P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.7 AC(ISS): 740 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 36 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
Operační zesilovač Wide BW Dual Texas Instruments LF353N/NOPB, PDIP-8 26,00 Kč Skladem Puhy c_1010649
Centrální sklad 65
1 ks 26,00 Kč
Načteno
Integrované obvody předních výrobců. Nahlédněte prosím do dokumentace, která je vám bezplatně k dispozici v sekci \"Ke stažení\".Parametry:Rychlost přeběhu: 13 V/µsVstupní klidový proud: 50 pASérie (polovodiče): BI-FET II™Typ (výrobce): LF353N/NOPBNapájecí proud: 3.6 mAVstupní napětí (offset): 5 mVZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): PDIP-8Provozní teplota (min.): 0 °CProvozní teplota (max.): +70 °CZkratka výrobce (součástky): TIDPočet obvodů: 2Výrobce: Texas InstrumentsTyp lineárního IO (kategorie): Operační zesilovačSoučin zesílení a šířky pásma: 4 MHzMin. napájecí napětí: +10 VMax. napájecí napětí: +36 VMax. napájecí napětí double: +18 VMin. napájecí napětí double: -5 V · +5 VTyp zesilovače: JFET
MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF730 1 Ω, 5,5 A TO 220 26,00 Kč Skladem Puhy c_162441
Centrální sklad 142
1 ks 26,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 400 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF730PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 1 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.3 AC(ISS): 700 pFU(DSS): 400 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 38 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3205Z 6,50 Ω, 110 A TO 220 AB 26,00 Kč Skladem Puhy c_164338
Centrální sklad 565
1 ks 26,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3205ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 6.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 75 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 66 AC(ISS): 3450 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 170 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7319 HEXFET SO-8 0,029 Ω, 6,5 A/-4,9 A SO 8 27,00 Kč Skladem Puhy c_162456
Centrální sklad 254
1 ks 27,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7319Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 29 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VTyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanál · P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.8 AC(ISS): 650 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 33 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR5305 HEXFET D-PAK 0,065 Ω, -31 A DPAK 27,00 Kč Skladem Puhy c_162696
Centrální sklad 238
1 ks 27,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): -55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFR5305Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 65 m?Referenční napětí R(DS)(on): +10 VI(d): 31 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): -55 VReferenční napětí Q(G): +10 VU(GS)(th) max.: +4 VQ(G): 63 CReferenční napětí C(ISS): +25 VVýkon: 110 W
Operační zesilovač Texas Instruments J-FET TL082CP, PDIP-8, 3 MHz 27,00 Kč Skladem Puhy c_175340
Centrální sklad 173
1 ks 27,00 Kč
Načteno
Integrované obvody předních výrobců. Nahlédněte prosím do dokumentace, která je vám bezplatně k dispozici v sekci \"Ke stažení\".Parametry:Rychlost přeběhu: 13 V/µsVstupní klidový proud: 30 pATyp (výrobce): TL082CPNapájecí proud: 1.4 mAVstupní napětí (offset): 3 mVZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): PDIP-8Provozní teplota (min.): 0 °CProvozní teplota (max.): +70 °CZkratka výrobce (součástky): TIDPočet obvodů: 2Výrobce: Texas InstrumentsTyp lineárního IO (kategorie): Operační zesilovačProudový výstup / kanál: 40 mASoučin zesílení a šířky pásma: 3 MHzMin. napájecí napětí: +7 VMax. napájecí napětí: +36 VMax. napájecí napětí double: +18 VMin. napájecí napětí double: -3.5 V · +3.5 VTyp zesilovače: JFET
2SJ449 27,00 Kč Skladem PSE 1107-3277
1 ks 27,00 Kč
P-FET 250V 6A 35W 0.8R TO220 ISO
KAQV214S 28,00 Kč Skladem GME 961-023
Optorelé -0,13A/400V, izolační pevnost 1500V Prov...
Mosfet N-FET tranzistor IRF3205 29,00 Kč Skladem GES 04913359
MOS-N-FET 55V/ 110A/ 200W/ rds=0,008Ohm. TO220, G D S D 17p
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3710S HEXFET D2PAK 0,025 Ω, 57 A D2PAK 29,00 Kč Skladem Puhy c_162398
Centrální sklad 951
1 ks 29,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3710SPBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 23 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 57 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 28 AC(ISS): 3130 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 130 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF540N 0,052 Ω, 33 A TO 220 29,00 Kč Skladem Puhy c_162412
Centrální sklad 904
1 ks 29,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF540NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 44 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 33 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1960 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 71 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 130 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR120N HEXFET D-PAK 0,185 Ω, 10 A DPAK 29,00 Kč Skladem Puhy c_162845
Centrální sklad 335
1 ks 29,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRLR120NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 185 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 10 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 6 AC(ISS): 440 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 5 VU(GS)(th) max.: 2 VQ(G): 20 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 48 W
IRF1404 N-FET 40V/169A/200W/0,004ohm TO220AB 30,00 Kč Skladem Puhy h_c900
Centrální sklad 15
1 ks 30,00 Kč
Načteno
Uvedený proud je možnost vlastního čipu, limit pouzdra 75A!!
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR1N60A HEXFET D-PAK 7 Ω, 1,4 A DPAK 30,00 Kč Skladem Puhy c_162686
Centrální sklad 521
1 ks 30,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 600 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFR1N60AZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 7 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 1.4 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.6 AC(ISS): 300 pFU(DSS): 600 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 11 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 36 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR224 HEXFET D-PAK 1,1 Ω, 3,8 A DPAK 30,00 Kč Skladem Puhy c_162689
Centrální sklad 858
1 ks 30,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFR224Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.1 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.3 AC(ISS): 260 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 14 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7421D1 FETKY SO-8 0,035 Ω, 5,8 A SO 8 31,00 Kč Skladem Puhy c_162477
Centrální sklad 625
1 ks 31,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): FETKY™Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7421D1Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 35 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.1 AC(ISS): 510 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
BUZ93 N FET 600V/3,6A 80W, TO220AB 32,00 Kč Skladem Puhy h_c331a
Centrální sklad 7
1 ks 32,00 Kč
Načteno
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7313 HEXFET SO-8 0,029 Ω, 6,5 A SO 8 33,00 Kč Skladem Puhy c_162452
Centrální sklad 8
1 ks 33,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7313Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 29 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 6.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 5.8 AC(ISS): 650 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 33 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFR9120N HEXFET D-PAK 0,48 Ω, - 6,6 A DPAK 33,00 Kč Skladem Puhy c_162701
Centrální sklad 271
1 ks 33,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFR9120NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 480 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 6.6 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.9 AC(ISS): 350 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 40 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR024N HEXFET D-PAK 0,065 Ω, 17 A DPAK 33,00 Kč Skladem Puhy c_162843
Centrální sklad 424
1 ks 33,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRLR024NZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 65 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 17 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 10 AC(ISS): 480 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 5 VU(GS)(th) max.: 2 VQ(G): 15 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 45 W
KAQV214A 35,00 Kč Skladem GME 961-024
Optorelé -0,13A/400V, izolační pevnost 3750V Prov...
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRL3302S HEXFET D2PAK 0,020 Ω, 39 A D2PAK 35,00 Kč Skladem Puhy c_162778
Centrální sklad 493
1 ks 35,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRL3302SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 20 m?Referenční napětí R(DS)(on): 7 VI(d): 39 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 23 AC(ISS): 1300 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 31 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 57 W
IRF1405 N FET 55V/150A Rds=0,005 ohm TO220 35,01 Kč Skladem Puhy h_c917
Centrální sklad 24
1 ks 35,01 Kč
Načteno
RoHS
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1010E 0,012 Ω, 81 A TO 220 36,00 Kč Skladem Puhy c_162358
Centrální sklad 1160
1 ks 36,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1010EZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 12 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 84 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 50 AC(ISS): 3210 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 130 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
HEXFET/FETKY Vishay IRFR014 HEXFET D-PAK 0,2 Ω, 7,7 A DPAK 36,00 Kč Skladem Puhy c_162678
Centrální sklad 285
1 ks 36,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 60 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFR014Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 200 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 7.7 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.6 AC(ISS): 300 pFU(DSS): 60 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 11 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU420 HEXFET I-PAK 3 Ω, 2,4 A I-PAK 36,00 Kč Skladem Puhy c_162728
Centrální sklad 136
1 ks 36,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFU420Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): I-PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.4 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.4 AC(ISS): 360 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 19 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
KAQV214 38,00 Kč Skladem GME 523-172
Optorelé -0,13A/400V, izolační pevnost 3750V Prov...
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF820A 3 Ω, 2,5 A TO 220 38,00 Kč Skladem Puhy c_162521
Centrální sklad 148
1 ks 38,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF820AZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1.5 AC(ISS): 340 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4.5 VQ(G): 17 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 50 W
MAC411C 1xOZ J-FET, DIL 8 38,51 Kč Skladem Puhy h_f009a
Centrální sklad 36
1 ks 38,51 Kč
Načteno
HEXFET/FETKY International Rectifier IRLR7843 D-PAK 3,30 Ω DPAK 39,00 Kč Skladem Puhy c_164398
Centrální sklad 350
1 ks 39,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRLR7843Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DPAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3.3 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 161 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: HEXFETReferenční proud R(DS)(on): 15 AC(ISS): 4380 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2.3 VQ(G): 50 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 140 W
Mosfet N-FET tranzistor IRFP250N 39,00 Kč Skladem GES 04901738
MOS-N-FET 200V/ 30A/ 210W/ rds=0,075Ohm. TO247 G D S D 16p
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1010N 0,012 Ω, 85 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162362
Centrální sklad 106
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1010NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 11 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 85 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 43 AC(ISS): 3210 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 180 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF610S HEXFET D2PAK 1,5 Ω, 3,3 A D2PAK 40,00 Kč Skladem Puhy c_162415
Centrální sklad 679
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF610SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1.5 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 3.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2 AC(ISS): 140 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 8.2 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF634 0,45 Ω, 8,1 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162423
Centrální sklad 265
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 250 VSérie (polovodiče): MESH OVERLAY™Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF634Způsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 450 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4 AC(ISS): 770 pFU(DSS): 250 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 51.8 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 80 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7303 HEXFET SO-8 0,05 Ω, 4,9 A SO 8 40,00 Kč Skladem Puhy c_162444
Centrální sklad 302
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7303PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 50 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.9 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 2.4 AC(ISS): 520 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 25 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF730A 1 Ω, 5,5 A TO 220 40,00 Kč Skladem Puhy c_162449
Centrální sklad 17
1 ks 40,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 400 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRF730AZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 1 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.3 AC(ISS): 600 pFU(DSS): 400 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4.5 VQ(G): 22 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 74 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP 3710 0,028 Ω, 51 A TO 247 41,00 Kč Skladem Puhy c_162653
Centrální sklad 221
1 ks 41,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka: Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP3710PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 25 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 57 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 28 AC(ISS): 3000 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 190 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF9953 HEXFET SO-8 0,25 Ω, -2,3 A SO 8 42,00 Kč Skladem Puhy c_162545
Centrální sklad 10
1 ks 42,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9953Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 250 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 2.3 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 1 AC(ISS): 190 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 12 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2 W
Elektretový mikrofon EMY-62NL101, -46 dB, 50 - 12 000 Hz, AWG 600 Ω, MCE-101, 1 - 10 V/DC 42,00 Kč Skladem Puhy c_302104
Centrální sklad 459
1 ks 42,00 Kč
Načteno
Tento kompaktní a odolný elektretový mikrofon se skládá z vodivé membrány, která je tenčí než tisícinu milimetru a která je především z akustických důvodů upevněna před děrovanou kovovou deskou, od níž je elektricky izolována. Oblast použití:v komunikačních prostředcích (např. telefony, rekordéry, hi-fi a ohlašovací mikrofony) a pro mobilní použití (např. sluchátka).Vlastnosti:Vestavěný FET zesilovačParametry:Frekvence (min.): 50 HzTyp (výrobce): EMY-62NL101Vnější O: 9.7 mmProvozní napětí (min.): 1 V/DCSplňuje RoHS: AnoProvozní napětí (rozsah): 1 - 10 V/DCProvozní napětí (max.): 10 V/DCFrekvence (max.): 12000 HzMnožství: 1 ksRozsah frekvence: 50 Hz - 12000 Hz
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1404 0,004 Ω, 162 A TO 220 43,00 Kč Skladem Puhy c_162372
Centrální sklad 553
1 ks 43,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1404PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 202 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 121 AC(ISS): 5669 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 196 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 333 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7402 HEXFET SO-8 0,035 Ω, 6,8 A SO 8 43,00 Kč Skladem Puhy c_162464
Centrální sklad 424
1 ks 43,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7402Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 35 m?Referenční napětí R(DS)(on): 4.5 VI(d): 6.8 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.1 AC(ISS): 650 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 22 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2.5 W
J-FET N-kanál tranzistor BF245C 43,00 Kč Skladem GES 04901363
N-FET NF/HF....VHF, 30V/Idss>12mA TO92 D S G 7f
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7341 HEXFET SO-8 0,05 Ω, 4,7 A SO 8 44,00 Kč Skladem Puhy c_162457
Centrální sklad 127
1 ks 44,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7341Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 50 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 4.7 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4.7 AC(ISS): 740 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 36 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7459 HEXFET SO-8 0,01 Ω, 12 A SO 8 44,00 Kč Skladem Puhy c_162484
Centrální sklad 227
1 ks 44,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7459Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 12 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 12 AC(ISS): 2480 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 2 VQ(G): 35 CReferenční napětí C(ISS): 10 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3707S HEXFET D2PAK 0,0125 Ω, 62 A D2PAK 45,00 Kč Skladem Puhy c_162393
Centrální sklad 353
1 ks 45,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3707SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 12.5 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 62 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 15 AC(ISS): 1990 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 19 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 87 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP 064 N 0,008 Ω, 110 A TO 247 45,00 Kč Skladem Puhy c_162637
Centrální sklad 399
1 ks 45,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka: Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP064NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 8 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 110 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 59 AC(ISS): 4000 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 170 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
IR2112S SO16 INTERNATIONAL RECTIFIER 45,00 Kč Skladem GME 955-024
MOSFET/IGBT driver L/H side, 10..20V, SO16. Napáj...
IR2112 DIP14 INTERNATIONAL RECTIFIER 46,00 Kč Skladem GME 399-157
MOSFET/IGBT driver L/H side, 10..20V, DIP14. Napá...
IR2110 DIP14 INTERNATIONAL RECTIFIER 47,00 Kč Skladem GME 399-080
MOSFET/IGBT driver L/H side, 10..20V, DIP14. Napá...
HEXFET/FETKY International Rectifier IRFU5305 HEXFET I-PAK 0,065 Ω, 28 A I-PAK 47,00 Kč Skladem Puhy c_162729
Centrální sklad 1077
1 ks 47,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFU5305PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): I-PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 65 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 31 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 63 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 110 W
IR2110S SO16 INTERNATIONAL RECTIFIER 49,00 Kč Skladem GME 955-072
MOSFET/IGBT driver L/H side, 10..20V, SO16. Napáj...
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF5305S HEXFET D2PAK 0,06 Ω, -31 A D2PAK 49,00 Kč Skladem Puhy c_162409
Centrální sklad 2
1 ks 49,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF5305SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 60 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 31 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 16 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 63 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRL3102S HEXFET D2PAK 0,013 Ω, 61 A D2PAK 50,00 Kč Skladem Puhy c_162769
Centrální sklad 183
1 ks 50,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRL3102SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 13 m?Referenční napětí R(DS)(on): 7 VI(d): 61 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 37 AC(ISS): 2500 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 58 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 89 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF3710 0,025 Ω, 57 A TO 220 51,00 Kč Skladem Puhy c_162397
Centrální sklad 382
1 ks 51,00 Kč
Načteno
Tranzistor MOSFET je stavební součástka řízená napětím, kterou lze připojit přímo na vysokoohmové zdroje. Je proto vhodná pro použití jako vypínač nebo analogový zesilovač. Tento tranzistor je kompatibilní s µC, TTL a CMOS. Poznámka_ Výrobce SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF3710Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 18 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 59 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 35 AC(ISS): 2900 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 120 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 160 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7457 HEXFET SO-8 0,007 Ω, 15 A SO 8 51,00 Kč Skladem Puhy c_162482
Centrální sklad 164
1 ks 51,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7457Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 7 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 15 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 15 AC(ISS): 3100 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 42 CReferenční napětí C(ISS): 10 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF9410 HEXFET SO-8 0,03 Ω, 7 A SO 8 52,00 Kč Skladem Puhy c_162532
Centrální sklad 107
1 ks 52,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF9410Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SO-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 30 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 7 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 7 AC(ISS): 550 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
BF981 N FET 20V/20mA 0,2W 800MHz dualgate UHF 53,91 Kč Skladem Puhy h_b710
Centrální sklad 12
1 ks 53,91 Kč
Načteno
EPR212A408000Z 54,00 Kč Skladem GME 523-189
Optorelé 0,13A/400V, izolační pevnost 3750V Prove...
Mosfet N-FET tranzistor IRFP064N 54,00 Kč Skladem GES 04913486
MOS-N-FET 55V/ 110A/ 200W/ rds=0,008Ohm. TO247 G D S D 16p
IRFP460 N FET 500V/20A/280W/270mohm TO247 54,99 Kč Skladem Puhy h_c924
Centrální sklad 22
1 ks 54,99 Kč
Načteno
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1404Z 3,70 Ω, 190 A TO 220 AB 55,00 Kč Skladem Puhy c_164331
Centrální sklad 506
1 ks 55,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 40 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1404ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 3.7 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 75 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 4340 pFU(DSS): 40 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 150 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
AQY212EHAT 58,00 Kč Skladem GME 961-092
Optorelé 0,55A/60V, izolační pevnost 5000V Proved...
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7403 HEXFET SO-8 0,022 Ω, 8,5 A SO 8 61,00 Kč Skladem Puhy c_162465
Centrální sklad 254
1 ks 61,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7403Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 22 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 8.5 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 4 AC(ISS): 1200 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 1 VQ(G): 57 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 2.5 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF640NS HEXFET D2PAK 0,15 Ω, 18 A D2PAK 62,00 Kč Skladem Puhy c_162425
Centrální sklad 84
1 ks 62,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF640NSZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 150 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 18 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 11 AC(ISS): 1160 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 67 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 150 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP460 0,27 Ω, 20 A TO 247 66,00 Kč Skladem Puhy c_162659
Centrální sklad 114
1 ks 66,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFP460PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): IRSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 270 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 20 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 12 AC(ISS): 4200 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 210 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 280 W
2SJ307 68,00 Kč Skladem PSE 1107-3275
1 ks 68,00 Kč
P-FET 250V 6A 30W R
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP9140NPBF 0,117 Ω, 21 A TO 247 73,00 Kč Skladem Puhy c_162662
Centrální sklad 64
1 ks 73,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP9140NPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 117 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 23 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 13 AC(ISS): 1300 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 97 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 140 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFPE40 2,0 Ω, 5,4 A TO 247 73,00 Kč Skladem Puhy c_162671
Centrální sklad 19
1 ks 73,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 800 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFPE40PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2 ?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 5.4 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 3.2 AC(ISS): 1900 pFU(DSS): 800 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 130 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 150 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF7311 HEXFET SO-8 0,029 Ω, 6,6 A SO 8 74,00 Kč Skladem Puhy c_162451
Centrální sklad 62
1 ks 74,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF7311Způsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): SOIC-8Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 29 m?Referenční napětí R(DS)(on): 4.5 VI(d): 6.6 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 6 AC(ISS): 900 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 27 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 2 W
Mosfet N-FET tranzistor 2SK2645 74,00 Kč Skladem GES 04913064
MOS-N-FET SMPS 600V/ 9A/ 50W/ rds=1,20Ohm. TO220 G D S iso
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRL3502S HEXFET D2PAK 0,007 Ω, 110 A D2PAK 76,00 Kč Skladem Puhy c_162783
Centrální sklad 48
1 ks 76,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 20 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRL3502SZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 7 m?Referenční napětí R(DS)(on): 7 VI(d): 110 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 64 AC(ISS): 4700 pFU(DSS): 20 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 0.7 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 15 VVýkon: 140 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRFP450A 0,4 Ω, 14 A TO 247 79,00 Kč Skladem Puhy c_162657
Centrální sklad 78
1 ks 79,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 500 VKanálů: 1Typ (výrobce): IRFP450APBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +150 °CZkratka výrobce (součástky): VISSplňuje RoHS: AnoVýrobce: VishayR(DS)(on): 400 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 14 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 8.4 AC(ISS): 2038 pFU(DSS): 500 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 64 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 190 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF1405Z 4,90 Ω, 150 A TO 220 AB 85,00 Kč Skladem Puhy c_164334
Centrální sklad 47
1 ks 85,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF1405ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 4.9 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 75 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 75 AC(ISS): 4780 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 180 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 230 W
2SJ306 87,00 Kč Skladem PSE 1107-3273
1 ks 87,00 Kč
P-FET 250V 3A 25W R
2SJ79-HIT - doprodej 90,00 Kč Skladem PSE 1107-337
1 ks 90,00 Kč
Tranzistor P-FET 200V 0.5A 30W TO220, Výrobce: HITACHI, Komplementár: 2SK216-HIT, Produkt podobný pro 2SJ78
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFS23N20D HEXFET D2PAK 0,1 Ω, 24 A D2PAK 92,00 Kč Skladem Puhy c_162712
Centrální sklad 30
1 ks 92,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 200 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFS23N20DZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 100 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 24 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 14 AC(ISS): 1960 pFU(DSS): 200 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 5.5 VQ(G): 86 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF2807Z 9,40 Ω, 89 A TO 220 AB 94,00 Kč Skladem Puhy c_164337
Centrální sklad 79
1 ks 94,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 75 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFZ2807ZPBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220ABProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 9.4 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 75 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 53 AC(ISS): 3270 pFU(DSS): 75 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 110 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 170 W
Mosfet N-FET tranzistor AP40T03GP 109,00 Kč Skladem GES 04913511
MOS-N-FET 30V/ 28A/ 31W, rds=0,025Ohm, TO220 G D S D 17j
Mosfet N-FET tranzistor 2SK2545 109,00 Kč Skladem GES 04912996
MOS-N-FET SMPS 600V/ 6A/ 40W/ rds=1,25Ohm. TO220 G D S iso
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRFP3703 0,0028 Ω, 210 A TO 247 109,00 Kč Skladem Puhy c_162652
Centrální sklad 402
1 ks 109,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRFP3703PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-247Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 2.8 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 210 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 76 AC(ISS): 8250 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 209 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRL2203NS HEXFET D2PAK 0,007 Ω, 116 A D2PAK 119,00 Kč Skladem Puhy c_162764
Centrální sklad 53
1 ks 119,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 30 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRL2203NSZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): TO-263-3Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 7 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 116 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 60 AC(ISS): 3290 pFU(DSS): 30 VReferenční napětí Q(G): 4.5 VU(GS)(th) max.: 3 VQ(G): 60 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRL3705NS HEXFET D2PAK 0,01 Ω, 89 A D2PAK 119,00 Kč Skladem Puhy c_162785
Centrální sklad 90
1 ks 119,00 Kč
Načteno
Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 55 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRL3705NSZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): D2PAKProvozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 10 m?Referenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 89 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: N-kanálReferenční proud R(DS)(on): 46 AC(ISS): 3600 pFU(DSS): 55 VReferenční napětí Q(G): 5 VU(GS)(th) max.: 2 VQ(G): 98 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 3.8 W
Stabilizátor napětí Linear Technology LTC4413EDD#PBF, DNF-10 119,00 Kč Skladem Puhy c_679660
Centrální sklad 15
1 ks 119,00 Kč
Načteno
Integrovaný obvod předního výrobce. Potřebná dokumentace, je vám k dispozici v sekci \"Ke stažení\".Parametry:Typ (výrobce): LTC4413EDD#PBFZpůsob montáže: Povrchová montážTyp pouzdra (polovodiče): DFN-10Provozní teplota (min.): -40 °CProvozní teplota (max.): 85 °CZkratka výrobce (součástky): LTCVýrobce: Linear TechnologyVstupní napětí (max.): 5.5 VTyp PMIC (kategorie): PMIC nebo kontrolérVstupní napětí (min.): 2.5 VOdběr: 25 µATyp PMIC: Spínač pro výběr zdrojeVnitřní přepínač: AnoProudové zatížení: 2.6 AAplikace: Moduly pro přenosná/mobilní zařízeníPoměr E/A: 2:1Zpoždění při vypnutí: 4 µsZpoždění při zapnutí: 50 µsTyp FET: P-kanál
Siemens N-FET tranzistor BUZ91AF 149,00 Kč Skladem GES 04913443
MOS-N-FET SMPS 600V/ 8A/ 40W, rds=0,9Ohm, TO220 G D S isol.
2SK1058 N FET 160V/7A 100W TO3P 166,38 Kč Skladem Puhy h_c512
Centrální sklad 2
1 ks 166,38 Kč
Načteno
Vysoce citlivý mikrofon do zvukových parabol Kemo B085, 56 x 56 mm, 9 V/DC (stavebnice) 319,00 Kč Skladem Puhy c_191501
Centrální sklad 58
1 ks 319,00 Kč
Načteno
Tento vysoce citlivý mikrofon dokáže při montáži do polokruhového reflektoru (např. rozpůlený plastový míč) zaznamenat zvuky a řeč až z několika stovek metrů. Ideální pro sledování zvířat, pro detektivy apod.Vlastnosti:Nastavitelná citlivostVysoce citlivý FET kondenzátorový mikrofonParametry:Provozní napětí (text): 9 V/DCOdběr proudu: max. 230 mAVnější délka: 56 mmProvozní napětí: 9 V/DCProvedení: StavebniceVnější šířka: 56 mmImpedance (numerická): 8 ?Typ stavebnice (kategorie): Předzesilovač
Mosfet N-FET tranzistor STH80NF55-08 369,00 Kč Skladem GES 04913482
MOS-N-FET do regulátorů klimatronik, rds=0,008Ohm. TO218 G D S D 18p
2SK1271 - doprodej 393,00 Kč Skladem PSE 1107-3465
1 ks 393,00 Kč
N-FET 1400V 5A 240W TO3P
Mikrofon Behringer C-1 1567,00 Kč Skladem Puhy c_302706
Centrální sklad 1
1 ks 1567,00 Kč
Načteno
Behringer C-1 je profesionální velkomembránový kondenzátorový mikrofon určený pro studio, živá vystoupení, ale i domácí nahrávky. Díky lineárnímu frekvenčnímu přenosu, nízkošumovým FET obvodům, velmi vysoké citlivosti a neuvěřitelné audio transparentnosti splňuje všechny požadavky na profesionální kondenzátorový mikrofon.Vlastnosti:Ledvinová charakteristikaVč. přepravního kufruPřiloženo k dodávce:Stojanový adaptér a přepravní pouzdro.Vybavení:Vyrovnaná kardoidní charakteristika a vysoké rozlišení zvuku.LED ukazatel stavu fantomového napájeníPozlacený XLR konektor pro perfektní přenos signáluExtrémně odolná konstrukce s pouzdrem litým pod tlakem.Parametry:Vypínač zap./vyp.: NeTyp(y) zástrčky (na kabelu): XLRVlastnosti mikrofonu: Vč. kufříkuVnější O: 54 mmVnější délka: 169 mmRozhraní (Počítač/Multumédia): XLRImpedance: 100 ?Druh přenosu: KabelovýFrekvenční charakteristika: 40 - 20 000 HzCharakteristika: Kardioidní (ledvinová)Typ mikrofonu (kategorie): Studiový mikrofonHmotnost: 450 g
Elektrický strojek na výrobu těsta a nudlí Unold, 68801, 200 W 2690,00 Kč Skladem Puhy c_398286
Centrální sklad 14
1 ks 2690,00 Kč
Načteno
Domácí těstoviny stisknutím tlačítka Díky přístroji na výrobu těstovin od firmy UNOLD je to možné Těstoviny chutnají vždy skvěle. Zvláště, pokud jsou domácí. Domácí výroba těstovin však vyžaduje čas a sílu na hnětení. Dobře, že existuje přístroj na výrobu těstovin od firmy Unold. Je to skutečný poklad. Ovládání je zcela snadné. Jednoduše přidejte přísady a můžete začít. Skvěle se podaří i těžká nudlová těsta, protože přístroj na výrobu těstovin automaticky rozmíchá a uhněte až 500 gramů těsta. Hotové nudlové těsto se automaticky vytlačuje přes 7 různých matric. Tak zcela podle vaší chuti vzniknou parpadelle, linguine, fettucine, rigatoni, tagliatelle nebo špagety. Součástí příslušenství je dokonce nástavec na stříkané pečivo. Obsluha i čištění jsou bezproblémové, protože přístroj na výrobu těstovin lze kompletně rozložit. Testován a oceněn: Díky svému „pohodlnému ovládání\" získal přístroj na výrobu těstovin ocenění Plus X Award. Cena Plus X Award je v současné době považována za největší světovou cenu za inovace v oblasti technologie, sportu a životního stylu. Uděluje ji 130 nezávislých členů poroty z 32 zemí. Cena za inovaci byla iniciována jako projekt na podporu značky, v roce 2012 je udělována již po deváté.Vlastnosti:Výkon: 200 W, 230 V ~, 50 HzMíchací nádoba na 500 g nudlového těstaAutomatické promíchání a hnětení přísadAutomatický výstup nudlového těstaLze kompletně rozložit pro snadné čištěníVíko s bezpečnostním vypínačemPříslušenství: matrice na parpadelle, linguine, fettucine, rigatoni, tagliatelle, špagety, stříkané pečivo a nástavec na plnění klobás2 odměrky na mouku a tekutinyStěrkaRozměry cca (D x Š/H x V): 30,5 x 18,0 x 29,0 cmParametry:Výkon: 200 WVýkon: 200 WRozměr, hloubka: 18.0 cmTyp kuchyňského spotřebiče (kategorie): Automat na nudleBarva: BíláVnější výška: 29.0 cmVnější šířka:...
Analyzátor polovodičových součástek DCA55 2,00 Kč Neznama GME 729-051
Automatická identifikace součástky. Automatická ide...
Analyzátor polovodičových součástek DCA75 5,00 Kč Neznama GME 729-114
Vlastnosti: -funguje samostatně nebo s PC -autom...
CPC1017N 49,00 Kč Neznama GME 961-090
Optorelé 0,1A/60V, izolační pevnost 1500V Provede...
IRF7343TRPBF SO8 13,00 Kč Neznama GME 915-179
Tranzistorová pole unipolární, Provedení: SMD, Počet...
Jemná stolní kotoučová pila PROXXON F E T 9,00 Kč Neznama GME 736-004
Pro jemnou mechaniku, modeláře, výrobce hraček, arch...
Kabelová zakončovací dutinka FET-35-5, 35mm2 x 25mm, červená 149,00 Kč Neznama GME 834-111
Zakončovací kabelová dutinka pro průřez vodiče 35 mm...
KAQV414 60,00 Kč Neznama GME 523-173
Optorelé -0,13A/400V, izolační pevnost 5000V Prov...
Mosfet N-FET tranzistor IRFP044N 46,00 Kč Nejsou GES 04913262
MOS-N-FET 60V/ 57A/ 180W/ rds=0,028Ohm. TO247 G D S D 16p
Mosfet N-FET tranzistor IRLZ44NS 29,00 Kč Nejsou GES 04913145
MOS-N-FET-LogL 55V/ 47A/ 110W/ 0,022Ohm. TO263 (D2PAK) G D S D 41p
Mosfet N-FET tranzistor MRF150 2,00 Kč Nejsou GES 04912991
MOS-N-FET VF 50V/ 150W/ 17dB/ 150MHz 211-11
Mosfet N-FET tranzistor IRF7380 22,00 Kč Nejsou GES 04913404
MOS-N-FET dual 80V 3,6A/2,9A / rds=0,086Ohm. SO8
Mosfet N-FET tranzistor IRF7470 29,00 Kč Nejsou GES 04913337
MOS-N-FET 40V/ 10A / rds=0,013Ohm. SO8
Mosfet N-FET tranzistor IRLR3410 26,90 Kč Nejsou GES 04913380
MOS-N-FET-LogL 100V/ 17A/ 75W/ 0,105Ohm. TO252 (DPak) G D S 41p
Mosfet N-FET tranzistor IRF2807 36,00 Kč Nejsou GES 04913366
MOS-N-FET 75V/ 82A/ 230W/ rds=0,013Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET tranzistor STP6NK60Z 39,90 Kč Nejsou GES 04913349
MOS-N-FET SMPS 600V/ 6,0A/ 110W, rds=1,2Ohm. TO220 G D S D 17p
Mosfet N-FET Fuji tranzistor 2SK2761 75,00 Kč Nejsou GES 04913094
MOS-N-FET SMPS 600V/ 10A/ 50W/ rds=1,0Ohm., TO220 G D S iso
Mosfet N-FET tranzistor BF981 59,00 Kč Nejsou GES 04901425
N-FET Dual-Gate,FM/VHF,Up
2N4393 138,00 Kč Nejsou PSE 1105-104
1 ks 138,00 Kč
Tranzistor N-FET 40V 5mA 1,8W UP
2SJ162-HIT 276,00 Kč Nejsou PSE 1107-324
1 ks 276,00 Kč
Tranzistor P-FET 160V 7A 100W 1R TO3P, Výrobce: HITACHI, Komplementár: 2SK1058-HIT, Produkt podobný pro 2SJ160 a 2SJ161
2SJ174 315,00 Kč Nejsou PSE 1107-3245
1 ks 315,00 Kč
P-FET 60V 20A 75W 235ns TO220AB
2SJ512 138,00 Kč Nejsou PSE 1107-330
1 ks 138,00 Kč
P-FET 200V 5A 30W 1R TO 220
2SK1058 276,00 Kč Nejsou PSE 1107-341
1 ks 276,00 Kč
Tranzistor N-FET 160V 7A 100W 1R TO3P, Komplementár: 2SJ162-HIT, Výrobce: RENESAS
2SK1299 15,00 Kč Nejsou PSE 1107-348
1 ks 15,00 Kč
N-FET 100V 3A 20W 0.45R DPAK1
2SK1317 224,00 Kč Nejsou PSE 1110-003
1 ks 224,00 Kč
N-FET 1,5kV 2,5A 100W SOT93
2SK1365 280,00 Kč Nejsou PSE 1110-008
1 ks 280,00 Kč
N-MOSFET 1kV 7A 90W TO3P-IS
2SK1419 44,00 Kč Nejsou PSE 1107-3585
1 ks 44,00 Kč
N-FET 60V 15A 25W 0.08R TO220
2SK1518-E 180,00 Kč Nejsou PSE 1110-009
1 ks 180,00 Kč
N-MOSFET 450V 20A 120W TO3P
2SK1544 446,00 Kč Nejsou PSE 1107-3628
1 ks 446,00 Kč
N-FET 500V 25A 200W 0.2R SOT93
2SK170-TOSHIBA 184,00 Kč Nejsou PSE 1107-367
1 ks 184,00 Kč
N-FET 40V 20mA 0.4W Up, Výrobce: TOSHIBA
2SK2043 31,00 Kč Nejsou PSE 1107-3738
1 ks 31,00 Kč
N-FET 600V 2A 2W 4.3R TO220
Reklama:

Velký dron s HD kamerou Létejte z pohledu pilota pomocí obrazovky mobilu. Foťte a natáčejte úžasná letecká videa a snímky.